石嘴山GBU610
石嘴山GBU610详细信息:
封装:GBU(插件桥堆) | 正向电流 (Io):6.0A |
反向电压(VRRM):1000V | 正向电压 (VF):1.1V |
浪涌电流(IFSM):150A | 漏电流 (IR):10uA |
工作温度:-55℃~150℃ | 芯片结构:台面玻璃钝化 |
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