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青岛GBP210S

  • 浏览次数：
  • 发布时间：2025/11/05
青岛GBP210S详细信息：
封装：GBP(插件桥堆)正向电流  (Io)：2.0A
反向电压(VRRM)：50-1000V正向电压  (VF)：1.1V
浪涌电流(IFSM)：60A漏电流      (IR)：10uA
工作温度：-55℃～150℃芯片结构：台面玻璃钝化


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