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黔南GBJ1010

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  • 发布时间:2022/07/14
黔南GBJ1010详细信息:
封装:GBJ(插件桥堆)正向电流  (Io):10.0A
反向电压(VRRM):1000V正向电压  (VF):1.1V
浪涌电流(IFSM):200A漏电流      (IR):10uA
工作温度:-55℃~150℃芯片结构:台面玻璃钝化


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