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肖特基二极管正负极和特点

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肖特基二极管正负极和特点

发布日期:2018-07-05 作者: 点击:

一、查看符号标记,在肖特基二极管的表面上一般都会标记二极管的符号,正极用三角形箭头符号表示,另一端则为负极。

二、查看元件色点,在二极管本体上标有色环或色线,有标记的一端则为负极。点接触肖特基二极管的外壳上,一般有极性色点(白色或红色)。普通标有色点的一端即为正极。

三、为了保险起见,您也可以利用万用表来测正负极:用数字式万用表去测二极管时,用万用表量电阻档(一般用X100或X1K)的红黑两表笔分别接二极管两极,会出现一次阻值很小,而反过来阻值很大近似不通。在阻值很小的情况下,红表笔接的是正极。

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    肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件,其反向恢复时间可小到几个纳秒,正向导通压降仅0.4v左右,而整流电流却可以达到几千安。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。肖特基势垒二极管(SBD)具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。


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